易车讯 日前，我们从相关渠道获悉，在第三代半导体碳化硅器件的帮助下，可以让当前的新能源车实现充电10分钟，行驶400公里，能耗降低50%的目标，目前中国电子科技集团旗下的多种规格碳化硅器件，已经在新能源车载充电装置上实现了批量应用。
第三代半导体，以SiC和GaN为主，是拥有宽禁带特性的新型半导体材料，因其高击穿电场等特性，被用于高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。它们与传统硅基半导体相比，有着显著优势：宽禁带允许在更高条件运行，能降低50%以上的能量损失和75%以上的体积。
全球第三代半导体材料，以碳化硅为代表，已成为技术前沿和产业竞争的焦点。国际上，包括美、日、欧在内的国家已成功实现了从研发到规模化生产的跨越，并在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费电子等领域实现了应用突破。
二氧化碳排放力争于2030年前达到峰值，努力争取2060年前实现“碳中和”。可提升能源转换效率的第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱。目前，第三代半导体的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。
目前市场上，用于新能源 汽车 的大多数功率半导体都是硅基器件，例如硅基IGBT和硅基MOSFET。随着技术和产品的成熟，第三代半导体将逐渐取代大多数硅基产品，市场对碳化硅的需求量越来越大。在2019年，以碳化硅为代表的第三代半导体电力电子设备应用在电动 汽车 领域取得了快速进展。
第三代半导体和芯片的核心材料主要是碳化硅和氮化镓。以下是关于这两种材料的详解： 碳化硅 特性：具有高硬度、高熔点、高热导率等优良物理性能，以及宽禁带、高击穿电场等电学特性。
第三代半导体，以SiC和GaN为主，是拥有宽禁带特性的新型半导体材料，因其高击穿电场等特性，被用于高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。它们与传统硅基半导体相比，有着显著优势：宽禁带允许在更高条件运行，能降低50%以上的能量损失和75%以上的体积。
在科技飞速发展的今天，半导体材料的迭代革新引领着芯片行业的前行。第三代半导体，以其SiC和GaN为核心，正崭露头角，展现出前所未有的特性。 与二代半导体如Si、Ge、GaAs、InP等相比，第三代半导体的显著区别在于其宽禁带特性，如SiC和GaN，使其在高温、大功率应用中展现出更强的适应性。
